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TTC502

更新时间: 2024-11-27 14:58:23
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 288K
描述
NPN Bipolar Transistor, 120 V, 1 A, SOT-23F

TTC502 数据手册

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TTC502  
Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type  
TTC502  
1. Applications  
High-Speed Switching  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)  
(2) High DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A)  
(3) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.14 V (max)  
(4) High-speed switching: tf = 200 ns (typ.)  
Note 1: For detail information, please contact our sales.  
3. Packaging and Internal Circuit  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
SOT-23F  
Start of commercial production  
2021-03  
©2021  
2021-09-17  
Rev.2.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  

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