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TTC501

更新时间: 2024-11-06 14:56:39
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
7页 256K
描述
NPN Bipolar Transistor, 50 V, 2.5 A, SOT-23F

TTC501 数据手册

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TTC501  
Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type  
TTC501  
1. Applications  
High-Speed Switching  
DC-DC Converters  
2. Features  
(1) AEC-Q101 qualified (Note 1)  
(2) High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)  
(3) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.14 V (max)  
(4) High-speed switching: tf = 120 ns (typ.)  
Note 1: For detail information, please contact our sales.  
3. Packaging and Internal Circuit  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
SOT-23F  
Start of commercial production  
2021-01  
©2020-2021  
2021-09-17  
Rev.2.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  

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