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TT61N14KOF

更新时间： 2023-02-26 15:27:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	402K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 120A I(T)RMS, 60000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-7

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TT61N14KOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.14
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	120 mA	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
通态非重复峰值电流：	1400 A	元件数量：	2
端子数量：	7	最大通态电流：	60000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	120 A
断态重复峰值电压：	1400 V	重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TT61N14KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT61N

Phase Control Thyristor Module

TT61N

TD61N

DT61N

TT61N...-K

TD61N...-A

DT61N...-K

5555Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

1400 V

V_DRM,V_RRM

1200

1600

1400 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

120 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

60 A

76 A

T_C= 85°C

T_C= 76°c

1550 A

1400 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

12000 A²s

9800 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,9 V

0,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

V_(TO)

r_T

3,4 mΩ

120 mA

1,4 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

5,0 mA

2,5 mA

max.

0,2 V

200 mA

620 mA

20 mA

3 µs

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

I_L

i_D, i_R

t_gd

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 09.07.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

1/2

A 05/02

Seite/page

BIP AC/ 16.05.2002; Drilling

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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