Datasheet > TT210N

TT210N

更新时间： 2024-10-27 08:32:51

品牌	Logo	应用领域
EUPEC		局域网
页数	文件大小	规格书
13页	412K
描述
Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT210N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED, 2 ELEMENTS	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	410 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

TT210N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT210N

Phase Control Thyristor Module

TT210N

TD210N

DT210N

TD210N...-A

TD210N...-K

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1600

1400 V

V_DRM,V_RRM

1800 V

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

410 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

210 A

261 A

T_C= 85°C

T_C= 73°C

6600 A

5800 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

218000 A²s

168000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

1,65 V

1 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 700 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

0,85 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,2 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication: 03.04.02

prepared by:

revision:

approved by: J. Novotny

BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling

A4 /82

1/12

Seite/page

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与TT210N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT210N06KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|600V V(RRM)\|210A I(T)
TT210N06KOF-A	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR\|DUAL\|CA\|600V V(RRM)\|210A I(T)
TT210N06KOF-K	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR\|DUAL\|CC\|600V V(RRM)\|210A I(T)
TT210N08KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Ele
TT210N10KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E
TT210N10KOF-K	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 E
TT210N12KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT210N14KOF-A	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
TT210N16KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
TT210N18KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 210000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 2 E

与TT210N相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

9
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

7
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

35
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT210N

TT210N 技术参数

TT210N 数据手册

与TT210N相关器件

与TT210N相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT210N

TT210N 技术参数

TT210N 数据手册

与TT210N相关器件

与TT210N相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？