Datasheet > TT140N20KOF

TT140N20KOF

更新时间： 2024-09-23 23:38:19

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		可控硅
页数	文件大小	规格书
4页	55K
描述
THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|2KV V(RRM)\|159A I(T)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TT140N20KOF 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT 140 N 16...22

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

T_vj= - 40°C...T_{vj max}

T_vj= + 25°C...T_{vj max}

V_DRM, V_RRM

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1600, 1800

2000, 2200

V_DSM

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

1600, 1800

2000, 2200

non-repetitive peak forward off-state voltage

V_RSM

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

1700, 1900

2100, 2300

I_TRMSM

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS on-state current

250

T_C= 85°C

T_C= 77°C

I_TAVM

Dauergrenzstrom

140

159

average on-state current

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

I_TSM

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

4000

3200

T_vj= 25°C, t_p= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

I²t

80000

51200

A²s

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit

150

A/µs

f = 50Hz, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

critical rate of rise of on-state current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

6. Kennbuchstabe / 6th letter F

critical rate of rise of off-state voltage

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

T_vj= T_{vj max}, i_T= 500A

v_T

Durchlaßspannung

on-state voltage

max. 1,84

0,9

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

1,75

T_vj= 25°C, v_D= 6V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündstrom

max.

150

2,0

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

max. 0,25

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_A= 5W

Haltestrom

max.

200

800

µs

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6V, R_GK10W

I_L

Einraststrom

i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs, t_G= 20µs

latching current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse currents

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

t_gd

DIN IEC 747-6

Zündverzug

T_vj= 25°C, i_GM= 0,6A, di_G/dt = 0,6A/µs

gate controlled delay time

MOD-E1; R. Jörke

08. Dez 99

A /99

Seite/page 1(4)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与TT140N20KOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TT140N22KOF	ETC	获取价格	THYRISTOR MODULE\|SCR DOUBLER\|2.2KV V(RRM)\|159A I(T)
TT14219000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT1421C000J0G	AMPHENOL	获取价格	Barrier Strip Terminal Block
TT142N	EUPEC	获取价格	Netz-Thyristor-Module Phase Control Thyristor Module
TT142N12KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 142000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E
TT142N12KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT142N14KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 142000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
TT142N14KOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element, MODULE-
TT142N16KOF	INFINEON	获取价格	Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module
TT142N16KOFHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 230A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, MODULE-

与TT140N20KOF相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

6
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

11
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT140N20KOF

TT140N20KOF 数据手册

与TT140N20KOF相关器件

与TT140N20KOF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TT140N20KOF

TT140N20KOF 数据手册

与TT140N20KOF相关器件

与TT140N20KOF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？