TSV6392IDT

更新时间： 2024-11-19 17:33:31

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器运算放大器
页数	文件大小	规格书
25页	939K
描述
微功耗（60uA）轨到轨输入/输出5V CMOS双路运算放大器，GBP = 2.4MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TSV6392IDT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	Factory Lead Time：	20 weeks
风险等级：	1.48	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0001 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.00001 µA	标称共模抑制比：	74 dB
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	4500 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.9 mm	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.75 mm	标称压摆率：	0.7 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	0.144 mA
供电电压上限：	6 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：	2000 kHz	最小电压增益：	10000
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

TSV6392IDT 数据手册

TSV639x, TSV639xA

Micropower (60 µA), wide bandwidth (2.4 MHz) CMOS op-amps

Features

■ Rail-to-rail input and output

■ Low power consumption: 60 µA typ at 5 V

■ Low supply voltage: 1.5 V - 5.5 V

SOT23-8

■ Gain bandwidth product: 2.4 MHz typ, stable

for gain equal or above -3 or +4

■ Low power shutdown mode: 5 nA typ

■ Low offset voltage: 800 µV max (A version)

■ Low input bias current: 1 pA typ

SO-8

■ EMI hardened operational amplifiers

■ High tolerance to ESD: 4 kV HBM

■ Extended temperature range: -40° C to

+125° C

MiniSO-8/10

Applications

■ Battery-powered applications

■ Portable devices

■ Signal conditioning

■ Active filtering

TSSOP-14

TSSOP-16

■ Medical instrumentation

Description

The TSV639x series of dual and quad operational

amplifiers offers low voltage operation and rail-to-

rail input and output.

Table 1.

Device summary

Dual version

For applications configured with gain, the

TSV639x series offers an excellent speed/power

consumption ratio, 2.4 MHz gain bandwidth

product while consuming only 60 µA at 5 V. The

devices also feature an ultra-low input bias

current and have a shutdown mode (TSV6393,

TSV6395).

Quad version

Reference

Without

With

Without

With

standby standby standby standby

TSV6392

TSV6393

TSV6394

TSV6395

TSV639x

TSV6392A TSV6393A TSV6394A TSV6395A

TSV639xA

These features make the TSV639x family ideal

for sensor interfaces, battery supplied and

portable applications, as well as active filtering.

January 2010

Doc ID 16883 Rev 1

1/25

www.st.com

12 3 4 5 6 7...25

中文翻译

下载PDF

与TSV6392IDT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TSV6392ILT	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6392IST	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6393	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6393A	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6393AIST	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6393IST	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6394	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6394A	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6394AIPT	STMICROELECTRONICS	获取价格	MIcropower (60 μA), wide bandwidth (2.4 MHz)
TSV6394AIPT	UMW	获取价格	低功耗运算放大器

与TSV6392IDT相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TSV6392IDT

TSV6392IDT 技术参数

TSV6392IDT 数据手册

与TSV6392IDT相关器件

与TSV6392IDT相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TSV6392IDT

TSV6392IDT 技术参数

TSV6392IDT 数据手册

与TSV6392IDT相关器件

与TSV6392IDT相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？