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TSU114IQ4T

更新时间： 2024-10-31 17:33:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
30页 1842K
描述
纳功率（900 nA）高精度（150 μV）

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TSU114IQ4T 数据手册

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TSU111  
Nanopower (900 nA), high accuracy (150 µV) 5 V CMOS  
operational amplifier  
Datasheet - production data  
Related products  
See TSU101, TSU102 and TSU104 for  
further power savings  
DFN6 1.2x1.3  
See TSZ121, TSZ122 and TSZ124 for  
increased accuracy  
Applications  
Gas sensors: CO, O2, and H2S  
Alarms: PIR sensors  
SC70-5  
Signal conditioning for energy harvesting  
and wearable products  
Ultra long-life battery-powered applications  
Battery current sensing  
Active RFID tags  
Features  
Submicro ampere current consumption:  
Icc = 900 nA typ at 25 °C  
Low offset voltage: 150 µV max at 25 °C,  
235 µV max over full temperature range  
(-40 to 85 °C)  
Low noise over 0.1 to 10 Hz bandwidth:  
3.6 µVpp  
Low supply voltage: 1.5 V - 5.5 V  
Rail-to-rail input and output  
Description  
The TSU111 operational amplifier (op amp)  
offers an ultra low-power consumption of 900 nA  
typical and 1.2 µA maximum when supplied by  
3.3 V. Combined with a supply voltage range of  
1.5 V to 5.5 V, these features allow the TSU111  
to be efficiently supplied by a coin type Lithium  
battery or a regulated voltage in low-power  
applications.  
Gain bandwidth product: 11.5 kHz typ  
Low input bias current: 10 pA max at 25 °C  
High tolerance to ESD: 4 kV HBM  
Benefits  
The high accuracy of 150 µV max and 11.5 kHz  
gain bandwidth make the TSU111 ideal for  
sensor signal conditioning, battery supplied, and  
portable applications.  
More than 25 years of typical equivalent  
lifetime supplied by a 220 mA.h CR2032  
coin type Lithium battery  
High accuracy without calibration  
Tolerance to power supply transient drops  
November 2016  
DocID029790 Rev 2  
1/30  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
 
 
 
1234567...30

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