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TST0950-MFDG3

更新时间： 2024-01-20 20:12:32

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其他 - ETC		射频放大器微波异步传输模式 ATM
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6页	56K
描述
RF AMPLIFIER\|SINGLE\|BIPOLAR\|TSSOP\|8PIN\|PLASTIC

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TST0950-MFDG3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSSO-8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	18 dB	最大输入功率 (CW)：	-10 dBm
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
最大工作频率：	960 MHz	最小工作频率：	925 MHz
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	TSSOP8,.19
电源：	2.8 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	12 mA
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比：	2	Base Number Matches：	1

TST0950-MFDG3 数据手册

TST0950

SiGe – Low Noise Amplifier (900 MHz)

Description

The TST0950 is a low-noise amplifier (LNA) in SiGe

technology. This LNA offers the possibility to apply a

gain switching through a control input pin, and provides

a power-down mode function for extending the battery

operation time.

In low-gain mode, the output drive capability is not

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

reduced, resulting in improved intermodulation

performance. The nominal gain is very precise and has

max. ±1.0 dB gain variation over full temperature range

and supply-voltage range.

F_De_Ia_nt_pu_utr_fe_res_{quency 925 to 960 MHz}

D High gain flatness (±0.3 dB max.)

D Power-down function

D Low noise figure at high gain mode (typ. 2.2 dB)

D Precise gain (19 dB, ±1.0 dB)

D High reverse isolation (min. –40 dB)

D Small package (TSSO8)

D Low– / high gain mode

Block Diagram

Gain

Bandgap

out

GND

Figure 1. Block diagram

Ordering Information

Extended Type Number

TST0950-MFDG3

Package

Remarks

TSSO8

Taped and reeled

Rev. A7, 04-Oct-00

1 ()

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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