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TSB1424CYRMG

更新时间： 2024-11-24 08:35:27
品牌 Logo 应用领域
TSC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
Low Vcesat PNP Transistor

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TSB1424CYRMG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz

TSB1424CYRMG 数据手册

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TSB1424  
Low Vcesat PNP Transistor  
SOT-89  
SOT-23  
Pin Definition:  
1. Base  
2. Collector  
3. Emitter  
PRODUCT SUMMARY  
BVCBO  
BVCEO  
IC  
-20V  
-20V  
-3A  
VCE(SAT)  
-0.2V @ IC / IB = -2A / -100mA  
Features  
Ordering Information  
●
Low VCE(SAT) -0.2 @ IC / IB = -2A / -100mA (Typ.)  
Complementary part with TSD2150  
Part No.  
Package  
Packing  
●
TSB1424CY RM  
TSB1424CY RMG  
TSB1424CX RF  
TSB1424CX RFG  
SOT-89  
SOT-89  
SOT-23  
SOT-23  
1Kpcs / 7” Reel  
1Kpcs / 7” Reel  
3Kpcs / 7” Reel  
3Kpcs / 7” Reel  
Structure  
●
Epitaxial Planar Type  
PNP Silicon Transistor  
●
Note: “G” denote for Halogen Free Product  
Absolute Maximum Rating (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Limit  
Parameter  
Symbol  
Unit  
SOT-89  
SOT-23  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
-20  
-20  
-6  
V
V
V
DC  
-3  
Collector Current  
IC  
A
Pulse  
-5 (note1)  
0.6  
2 (note 2)  
+150  
- 55 to +150  
0.3  
Collector Power Dissipation  
PD  
W
1 (note 2)  
Operating Junction Temperature  
TJ  
oC  
oC  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Note: 1. Single pulse, Pw=10ms, Duty≤50%  
TSTG  
2. When mounted on a 40 x 50 x 0.7mm ceramic board.  
Electrical Specifications (Ta = 25oC unless otherwise noted)  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Conditions  
IC = -50uA, IE = 0  
Symbol  
Min  
Typ  
--  
Max  
--  
Unit  
V
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
-20  
-20  
-6  
Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = -10mA, IB = 0  
--  
--  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
IE = -50uA, IC = 0  
VCB = -20V, IE = 0  
VEB = -5V, IC = 0  
IC / IB = -2A / -100mA  
VCE = -2V, IC = 100mA  
VCE =-2V, IE=0.5A,  
f=100MHz  
--  
--  
V
--  
--  
-0.1  
-0.1  
-0.5  
390  
uA  
uA  
V
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
--  
--  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
DC Current Transfer Ratio  
VCE(SAT)  
hFE  
--  
-0.2  
--  
180  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
--  
--  
200  
28  
--  
--  
MHz  
pF  
V
CB = -10V, IE = 0,  
Cob  
f=1MHz  
1/5  
Version: E11  
12345

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