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TS906C3R

更新时间： 2024-11-07 08:35:35

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富士电机 - FUJI		二极管快速恢复二极管
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6页	486K
描述
Low-Loss Fast Recovery Diode

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TS906C3R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	300 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TS906C3R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

TS906C3R

Low-Loss Fast Recovery Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

RRM

300

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 123˚C

Average output current

20 *

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

1.2

Units

Forward voltage***

Reverse current***

I = 10 A

=VRRM

200

µA

Reverse recovery time***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

trr

=0.1A, I

=0.2A, Irec =0.05A

0.035

1.0

µS

Rth(j-c)

Junction to case

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

1.6

12 3 4 5 6

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