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TS906C2R-TE24R

更新时间： 2024-11-07 15:55:07

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	434K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, PLSTIC PACKAGE-3

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TS906C2R-TE24R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLSTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e2
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TS906C2R-TE24R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

TS906C2R-TE24R

Low-Loss Fast Recovery Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

200

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 110˚C

Average output current

20*

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

0.98

Units

Forward voltage***

Reverse current***

I = 10 A

=VRRM

200

μA

Reverse recovery time***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

trr

=0.1A,I

=0.2A,Irec=0.05A

0.035

2.0

μs

Rth(j-c)

Junction to case

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

1.6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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