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TS868C12R

更新时间： 2024-09-18 08:35:43

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富士电机 - FUJI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	55K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

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TS868C12R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TPACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	HIGH VOLTAGE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	225 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

TS868C12R 数据手册

(120V / 30A )

TS868C12R (30A)

[0402]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

10^+0.5

4.5 ^±0.2

1.32

Characteristics TS868C12R Units Condition

V^RRM

V^F

120

0.88

Tc=25°C MAX.

+0.2

1.2 ^±0.2

—0.1

0.4^+0.2

0.8

2.7

5.08

1. Gate

2, 4. Drain

3. Source

Package : T-pack

Features

Applications

Epoxy resin UL : V-0

Low VF

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

High Voltage

Connection diagram

Center tap connection

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

120

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

120

Square wave, duty=1/2

Tc=121°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

225

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.88

Unit

Conditions

I^FM=10A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

200

1.0

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Approximate mass

12 3

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