TS868C04R

更新时间： 2024-09-18 08:35:43

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富士电机 - FUJI		整流二极管
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3页	132K
描述
Low IR Schottky barrier diode

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TS868C04R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-PACK, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	160 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	45 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

TS868C04R 数据手册

TS868C04R (45V/30A)

[200509]

Outline drawings, mm

Low IR Schottky barrier diode

10^+0.5

0.2

4.5

1.32

Features

Low IR

Low VF

+0.2

0.2

—0.1

1.2

0.4^+0.2

0.8

Center tap connection

2.7

5.08

Applications

1. Gate

2, 4. Drain

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

3. Source

Package : T-pack

Epoxy resin UL : V-0

Connection diagram

Maximum ratings and characteristics

Maximum ratings

Conditions

Rating

Symbol

VRSM

VRRM

Viso

Item

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Isolating voltage

tw=500ns, duty=1/40

1500

Terminals-to-Case, AC.1min.

Square wave, duty=1/2

Tc=122°C

Average output current

IFSM

PRM

160

1000

+150

Non-repetitive surge current

non-repetitive reverse surge power dissipation

Operating junction temperature

Storage temperature

Sine wave 10ms

tw=10µs, Tj=25°C

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

Electrical characteristics (at Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Max.

0.63

200

1.25

Conditions

IF=15A

Symbol

V^F

Unit

Forward voltage **

Reverse current **

Thermal resistance

VR=40V

µA

Junction to case

Rth(j-c)

°C/W

**Rating per element

Mechanical characteristics

Recommended torque

Mounting torque

0.3 to 0.5

N·m

Approximate mass

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

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