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| 生命周期： | Active | 包装说明： | PLASTIC, T-PACK, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 160 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TS868C06R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode |
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| TS868C08R | FUJI |
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Schottky Barrier Diode |
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| TS868C08R-P | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC, TPACK-3 |
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| TS868C10R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode |
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| TS868C12R | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Schottky barrier diode |
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| TS868C15R | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Schottky barrier diode |
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| TS87C196KB | INTEL |
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Microcontroller, 16-Bit, UVPROM, 12MHz, CMOS, PQFP80 |
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| TS87C196KC | INTEL |
获取价格 |
Microcontroller, 16-Bit, OTPROM, 8096 CPU, 16MHz, CMOS, PQFP80, QFP-80 |
|
| TS87C196KC20 | INTEL |
获取价格 |
Microcontroller, 16-Bit, OTPROM, 8096 CPU, 20MHz, CMOS, PQFP80, QFP-80 |
|
| TS87C196KD | ETC |
获取价格 |
Microcontroller |
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