TS865C10R

更新时间： 2024-11-22 08:35:43

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		整流二极管
页数	文件大小	规格书
3页	131K
描述
Low IR Schottky barrier diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TS865C10R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-PACK, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	145 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

TS865C10R 数据手册

TS865C10R (100V/20A)

[200509]

Outline drawings, mm

Low IR Schottky barrier diode

10^+0.5

0.2

4.5

1.32

Features

Low IR

Low VF

+0.2

0.2

—0.1

1.2

0.4^+0.2

0.8

Center tap connection

2.7

5.08

Applications

1. Gate

2, 4. Drain

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

3. Source

Package : T-pack

Epoxy resin UL : V-0

Connection diagram

Maximum ratings and characteristics

Maximum ratings

Conditions

Rating

100

Symbol

VRSM

VRRM

Viso

Item

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Isolating voltage

tw=500ns, duty=1/40

100

1500

Terminals-to-Case, AC.1min.

Square wave, duty=1/2

Tc=117°C

Average output current

IFSM

PRM

145

Non-repetitive surge current

non-repetitive reverse surge power dissipation

Operating junction temperature

Storage temperature

Sine wave 10ms

tw=10µs, Tj=25°C

660

°C

+150

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

Electrical characteristics (at Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Max.

0.86

175

1.75

Conditions

IF=10A

Symbol

V^F

Unit

Forward voltage **

Reverse current **

Thermal resistance

VR=100V

µA

Junction to case

Rth(j-c)

°C/W

**Rating per element

Mechanical characteristics

Recommended torque

Mounting torque

0.3 to 0.5

N·m

Approximate mass

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

12 3

中文翻译

下载PDF

与TS865C10R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TS865C12R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TS865C15R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TS868C04R	FUJI	获取价格	Low IR Schottky barrier diode
TS868C06R	FUJI	获取价格	Low IR Schottky barrier diode
TS868C08R	FUJI	获取价格	Schottky Barrier Diode
TS868C08R-P	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC, TPACK-3
TS868C10R	FUJI	获取价格	Low IR Schottky barrier diode
TS868C12R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TS868C15R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TS87C196KB	INTEL	获取价格	Microcontroller, 16-Bit, UVPROM, 12MHz, CMOS, PQFP80