TS865C08R

更新时间： 2024-09-18 08:35:43

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富士电机 - FUJI		肖特基二极管
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6页	520K
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Schottky Barrier Diode

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TS865C08R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	145 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TS865C08R 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

TS865C08R

Schottky Barrier Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

50Hz square wave duty =1/2

Tc =107˚C

Average output current

20*

Non-repetitive forward surge current**

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

145

150

˚C

Tstg

-40 to +150

Note* Out put current of center tap full wave connection.

Note** Rating per element

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

0.76

Units

Forward voltage***

Reverse current***

Thermal resistance

Note*** Rating per element

I = 10 A

=VRRM

175

µA

Rth(j-c)

Junction to case

1.75

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

1.6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TS865C08R-P	FUJI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC, T-PACK-3
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