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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 信息通信管理 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 305K | |
描述 | ||
Rail-to-rail micropower BiCMOS quad comparator |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP14,.25 |
针数: | 14 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.4 | 放大器类型: | COMPARATOR |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0006 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0003 µA |
最大输入失调电压: | 18000 µV | JESD-30 代码: | R-PDSO-G14 |
长度: | 8.65 mm | 功能数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出类型: | PUSH-PULL |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP14,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.7/10 V | 认证状态: | Not Qualified |
标称响应时间: | 2000 ns | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.75 mm | 子类别: | Comparator |
最大压摆率: | 0.064 mA | 供电电压上限: | 12 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 3.9 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TS864IDT | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS | |
TS864ID | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TS865C04R | FUJI |
获取价格 |
Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C06R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C08R | FUJI |
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Schottky Barrier Diode | |
TS865C08R-P | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC, T-PACK-3 | |
TS865C10R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C12R | FUJI |
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High Voltage Schottky barrier diode | |
TS865C15R | FUJI |
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High Voltage Schottky barrier diode | |
TS868C04R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS868C06R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS868C08R | FUJI |
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Schottky Barrier Diode |