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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 信息通信管理 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 305K | |
描述 | ||
RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | PLASTIC, DIP-14 |
针数: | 14 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.75 | 放大器类型: | COMPARATOR |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0006 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0003 µA |
最大输入失调电压: | 18000 µV | JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 |
JESD-609代码: | e3 | 功能数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出类型: | PUSH-PULL |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP14,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.7/10 V | 认证状态: | Not Qualified |
标称响应时间: | 2000 ns | 座面最大高度: | 5.1 mm |
子类别: | Comparator | 供电电压上限: | 12 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BICMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TS864IPT | STMICROELECTRONICS |
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RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS | |
TS864IYDT | STMICROELECTRONICS |
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Rail-to-rail micropower BiCMOS quad comparator | |
TS865C04R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C06R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C08R | FUJI |
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Schottky Barrier Diode | |
TS865C08R-P | FUJI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 80V V(RRM), Silicon, PLASTIC, T-PACK-3 | |
TS865C10R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode | |
TS865C12R | FUJI |
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High Voltage Schottky barrier diode | |
TS865C15R | FUJI |
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High Voltage Schottky barrier diode | |
TS868C04R | FUJI |
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Low IR Schottky barrier diode |