TS862C12R

更新时间： 2024-11-22 03:57:55

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		整流二极管高压
页数	文件大小	规格书
3页	54K
描述
High Voltage Schottky barrier diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TS862C12R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, T-PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
应用：	HIGH VOLTAGE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	75 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	120 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

TS862C12R 数据手册

(120V / 10A )

TS862C12R (10A)

[0401]

High Voltage Schottky barrier diode

Outline drawings, mm

Major characteristics

10^+0.5

4.5 ^±0.2

1.32

Characteristics TS862C12R Units Condition

V^RRM

V^F

120

0.88

Tc=25°C MAX.

+0.2

1.2 ^±0.2

—0.1

0.4^+0.2

0.8

2.7

5.08

1. Gate

2, 4. Drain

3. Source

Package : T-pack

Features

Applications

Epoxy resin UL : V-0

Low VF

High frequency operation

DC-DCconverters

AC adapter

High Voltage

Connection diagram

Center tap connection

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Symbol

V^RSM

VRRM

Conditions

Item

Rating

120

Unit

Repetitive peak surge reverse voltage

Repetitive peak reverse voltage

Average output current

tw=500ns, duty=1/40

Square wave, duty=1/2

Tc=137°C

Sine wave

10ms 1shot

IFSM

Non-repetitive surge current **

Operating junction temperature

Storage temperature

+150

°C

Tstg

-40 to +150

* Out put current of center tap full wave connection

**Rating per element

Electrical characteristics (at Tc=25°C Unless otherwise specified )

Item

Symbol

Max.

0.88

Unit

Conditions

I^FM=10A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

150

3.0

µA

Junction to case

Rth(j-c)

Thermal resistance

°C/W

Mechanical characteristics

Approximate mass

12 3

中文翻译

下载PDF

TS862C12R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MBRB20100CT	LITTELFUSE	功能相似	Littelfuse MBRB20100CT系列肖特基位障二极管整流器的设计旨在提供具有高
MBRB10100CT	LITTELFUSE	功能相似	Littelfuse MBRB10100CT系列肖特基位障二极管整流器的设计旨在提供具有高
SBR10100CTB	DIODES	功能相似	SUPER BARRIER RECTIFIER

与TS862C12R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TS862C15R	FUJI	获取价格	High Voltage Schottky barrier diode
TS862I	STMICROELECTRONICS	获取价格	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
TS862IAD	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 2000ns RESPONSE TIME, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8
TS862IADT	STMICROELECTRONICS	获取价格	暂无描述
TS862IAN	STMICROELECTRONICS	获取价格	DUAL COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 2000ns RESPONSE TIME, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
TS862ID	STMICROELECTRONICS	获取价格	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
TS862IDT	STMICROELECTRONICS	获取价格	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
TS862IN	STMICROELECTRONICS	获取价格	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
TS862IPT	STMICROELECTRONICS	获取价格	RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS
TS862IYDT	STMICROELECTRONICS	获取价格	Rail-to-rail micropower BiCMOS dual comparator

与TS862C12R相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TS862C12R

TS862C12R 技术参数

TS862C12R 数据手册

TS862C12R 替代型号

与TS862C12R相关器件

与TS862C12R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TS862C12R

TS862C12R 技术参数

TS862C12R 数据手册

TS862C12R 替代型号

与TS862C12R相关器件

与TS862C12R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？