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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 信息通信管理 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
15页 | 305K | |
描述 | ||
Rail-to-rail micropower BiCMOS dual comparator |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.56 | Is Samacsys: | N |
放大器类型: | COMPARATOR | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB): | 0.0003 µA | 最大输入失调电压: | 10000 µV |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 4.9 mm | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
输出类型: | PUSH-PULL | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP8,.25 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.7/10 V |
认证状态: | Not Qualified | 标称响应时间: | 2000 ns |
座面最大高度: | 1.75 mm | 子类别: | Comparator |
最大压摆率: | 0.016 mA | 供电电压上限: | 12 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.9 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
TS862IDT | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS | |
TS862ID | STMICROELECTRONICS |
完全替代 |
RAIL TO RAIL MICROPOWER BICMOS COMPARATORS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TS862AIN | ETC |
获取价格 |
VOLT COMPARATOR|DUAL|BICMOS|DIP|8PIN|PLASTIC | |
TS862AIPT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
轨到轨微功耗BiCMOS双路比较器 | |
TS862AIYDT | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 | |
TS862C04R | FUJI |
获取价格 |
Low IR Schottky barrier diode | |
TS862C06R | FUJI |
获取价格 |
Low IR Schottky barrier diode | |
TS862C08R | FUJI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode | |
TS862C08R-P | FUJI |
获取价格 |
暂无描述 | |
TS862C10R | FUJI |
获取价格 |
Low IR Schottky barrier diode | |
TS862C12R | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Schottky barrier diode | |
TS862C15R | FUJI |
获取价格 |
High Voltage Schottky barrier diode |