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TS808C06-TE24R

更新时间: 2024-11-10 15:55:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 60V V(RRM), Silicon,

TS808C06-TE24R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

TS808C06-TE24R 数据手册

  

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