5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 最大非重复峰值正向电流： | 120 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 20 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 最大反向电流： | 15000 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TS805C04R | FUJI |
获取价格 |
Dual T-pack(S) |
|
| TS805C04R-TE24R | FUJI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
| TS805C04-TE24L | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, |
|
| TS805C04-TE24R | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, |
|
| TS805C06 | ETC |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODE |
|
| TS808C04 | FUJI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| TS808C04-TE24L | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, |
|
| TS808C04-TE24R | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, |
|
| TS808C06 | FUJI |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
|
| TS808C06R-TE24R | FUJI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
