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Datasheet > 信号电路 > 复用器或开关> TS5A3159DCKR
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TS5A3159DCKR

更新时间： 2024-11-05 22:17:43
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
21页 231K
描述
1 SPDT ANALOG SWITCH

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TS5A3159DCKR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP6,.08针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.88其他特性：2-CHANNEL MUX/DEMUX
模拟集成电路 - 其他类型：SPDT标称带宽：100 MHz
最大输入电压：5.5 V最小输入电压：
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e4
长度：2 mm湿度敏感等级：1
信道数量：1功能数量：1
端子数量：6标称断态隔离度：63 dB
通态电阻匹配规范：0.7 Ω最大通态电阻 (Ron)：3.2 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.9 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电流 (Isup)：0.0001 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
最长断开时间：70 ns最长接通时间：95 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.25 mm
Base Number Matches：1

TS5A3159DCKR 数据手册

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www.ti.com  
SCDS174A − AUGUST 2004 – REVISED SEPTEMBER 2004  
Description  
Features  
D
D
D
D
D
D
D
D
Specified Break-Before-Make Switching  
Low ON-State Resistance (1 W)  
Control Inputs Are 5-V Tolerant  
Low Charge Injection  
The TS5A3159 is a single-pole double throw (SPDT)  
analog switch that is designed to operate from 1.65-V  
to 5.5-V. The device offers a low ON-state resistance  
and an excellent ON-resistance, matching with the  
break-before-make feature to prevent signal distortion  
during the transferring of a signal from one channel to  
another. The device has an excellent total harmonic  
distortion (THD) performance and consumes very low  
power. These features make this device suitable for  
portable audio applications.  
Excellent ON-Resistance Matching  
Low Total Harmonic Distortion  
1.65-V to 5.5-V Single-Supply Operation  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
D
ESD Performance Tested Per JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model  
(A114-B, Class II)  
Applications  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
D
D
D
Cell Phones  
Summary of Characteristics  
PDAs  
V = 5 V and T = 25 °C  
+
A
Portable Instrumentation  
2:1 Multiplexer/  
Demultiplexer  
(1 × SPDT)  
Configuration  
Number of channels  
1
1.1 Ω  
SOT-23 OR SC-70 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
ON-state resistance (r  
)
on  
ON-state resistance match (∆r  
ON-state resistance flatness (r  
Turn ON/turn OFF time (t /t  
)
0.1 Ω  
on  
TS5A3159  
NO  
GND  
NC  
1
2
3
6
5
4
IN  
V
)
0.15 Ω  
on(flat)  
)
20 ns/15 ns  
12 ns  
+
ON OFF  
Break-before-make time (t  
)
COM  
BBM  
Charge injection (Q )  
C
36 pC  
Bandwidth (BW)  
100 MHz  
−65 dB at 1 MHz  
−65 dB at 1 MHz  
0.01%  
OFF isolation (O  
ISO  
)
FUNCTION TABLE  
Crosstalk (X  
)
TALK  
NC TO COM  
COM TO NC  
NO TO COM  
COM TO NO  
Total harmonic distortion (THD)  
IN  
Leakagecurrent (I  
/I  
)
20 nA  
NO(OFF) NC(OFF)  
L
ON  
OFF  
6-pin DBV, DCK, YEP, or  
YZP  
Package option  
H
OFF  
ON  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas Instruments  
semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2004, Texas Instruments Incorporated  
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TS5A3159DCKR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TS5A3159DCKRE4 TI

完全替代

 1-R SPDT ANALOG SWITCH
TS5A3159DCKRG4 TI

完全替代

 1-R SPDT ANALOG SWITCH
TS5A3159DCKT TI

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