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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 9页 | 209K |  |
| 描述 | ||
| 微功耗、超宽范围输入偏置电压 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 1.15 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.00015 µA |
| 标称共模抑制比： | 80 dB | 频率补偿： | YES |
| 最大输入失调电压： | 12000 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 4.4 mm |
| 低-偏置： | YES | 低-失调： | NO |
| 微功率： | NO | 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | 标称负供电电压 (Vsup)： | ||
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP8,.25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法： | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 功率： | NO |
| 电源： | 10 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 标称压摆率： | 5.5 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 最大压摆率： | 3.2 mA | 供电电压上限： | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 10 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 标称均一增益带宽： | 3500 kHz |
| 最小电压增益： | 7000 | 宽带： | NO |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| TS272CP | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
HIGH SPEED CMOS DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TS272I | STMICROELECTRONICS |
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HIGH PERFORMANCE CMOS DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS |
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| TS272IAD | STMICROELECTRONICS |
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| TS272IAI | STMICROELECTRONICS |
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| TS272IAN | STMICROELECTRONICS |
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| TS272IAP | STMICROELECTRONICS |
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| TS272IBD | STMICROELECTRONICS |
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