2SA1357O

更新时间： 2024-02-23 15:25:29

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TRSYS		晶体晶体管
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1页	64K
描述
Transistor

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2SA1357O 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SA1357O 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-126C Plastic-Encapsulated Transistors

2SA1357 TRANSISTOR (PNP)

TO-126C

FEATURES

Power dissipation

P_CM

: 1.5

W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

Collector current

I_CM

2. COLLECTOR

3. EMITTER

: -5

1 2 3

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -35

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-1mA, I_E=0

MIN

-35

-20

-8

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=-10mA, I_B=0

I_E=-1mA, I_C=0

V_CB=-35V, I_E=0

-100

320

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-8V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

100

DC current gain

_CE=-2V, I_C=-4A

I_C=-4A, I_B=-0.1A

_CE=-2V, I_C=-4A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

-1

-1.5

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

170

C_ob

Collector output capacitance

_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

100-200

160-320

Marking

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1357-O	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-8H1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power	获取价格
2SA1357Y	ISC	Transistor	获取价格
2SA1357Y	TOSHIBA	TRANSISTOR 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	获取价格
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2SA1358	TOSHIBA	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)	获取价格