2N5551

更新时间： 2024-02-11 15:07:58

品牌	Logo	应用领域
TRSYS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	67K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551 数据手册

Transys

Electronics

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

2N5551 TRANSISTOR (NPN)

TO-92

FEATURES

Power dissipation

P_CM: 0.625 W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

2. BASE

Collector current

I_CM: 0.6

3. COLLECTOR

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 180

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

MIN

180

160

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Ic= 100 µA, I_E=0

Ic= 100 µA, I_B=0

Collector-emitter

voltage

breakdown

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_E= 100 µA, I_C=0

V_CB= 180 V, I_E=0

0.1

µA

I_EBO

V_EB= 4 V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE= 5 V, I_C= 1 mA

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

DC current gain

h_FE(2)

250

h_FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CEsat

V_BEsat

0.5

Transition frequency

MHz

f_T

V_CE= 5 V,I_C= 10 mA, f =30MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(2)

Rank

80-160

120-180

150-250

Range

下载PDF

与2N5551相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5551/D10Z-18	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D10Z-J14Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D10Z-J61Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-18	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-J14Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-J61Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格