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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
12页 | 872K | |
描述 | ||
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infi |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPWKA5M50B04-R1 | MURATA |
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Ceramic BRF, 5.5MHz | |
TPWR6003PL | TOSHIBA |
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N-ch MOSFET, 30 V, 0.0006 Ω@10V, DSOP Advance | |
TPWR7904PB | TOSHIBA |
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N-ch MOSFET, 40 V, 150 A, 0.00079 Ω@10V, DSOP | |
TPWR8004PL | TOSHIBA |
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Nch 30V<VDSS≤60V, Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power | |
TPWR8503NL | TOSHIBA |
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N-ch MOSFET, 30 V, 0.00085 Ω@10V, DSOP Advanc | |
TPWRD4M50B05-B0 | MURATA |
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Ceramic BRF, 4.5MHz | |
TPWRD4M50B06-B0 | MURATA |
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Ceramic BRF, 4.5MHz | |
TPWRD4M50B10-B0 | MURATA |
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Ceramic BRF, 4.5MHz | |
TPWRD4M50B11-B0 | MURATA |
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Ceramic BRF, 4.5MHz | |
TPWRD5M50B02-B0 | MURATA |
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Ceramic BRF, 5.5MHz |