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TPW2900ENH

更新时间: 2024-11-19 14:57:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 372K
描述
N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, DSOP Advance, U-MOSⅧ-H

TPW2900ENH 技术参数

生命周期:Active包装说明:DSOP-8
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):36 A
最大漏源导通电阻:0.029 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):50 pFJESD-30 代码:S-PDSO-F5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TPW2900ENH 数据手册

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TPW2900ENH  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
TPW2900ENH  
1. Applications  
High-Efficiency DC-DC Converters  
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) High-speed switching  
(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)  
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 m(typ.) (VGS = 10 V)  
(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 200 V)  
(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
DSOP Advance  
Start of commercial production  
2015-08  
©2015-2019  
2019-10-30  
Rev.3.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  

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