TPV8100B

更新时间： 2024-09-30 22:19:15

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV8100B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	12 A
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	215 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPV8100B 数据手册

TPV8100B

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI TPV8100B is Designed for

Transmitter Output Stages Covering

TV Band IV and V, Operating at 28 V.

FEATURES INCLUDE:

• Internal Input, Output Matching

• Common Emitter Configuration

• Gold Metalization

PACKAGE STYLE .438X.450 4LFL

• Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

12 A

I_C

V_CER

P_DISS

T_J

40 V R_BE= 10 Ω

215 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.8 ^OC/W

1 = COLLECTOR #1

2 = COLLECTOR

T_STG

θ_JC

3 = BASE #1

4 = BASE #2

5 = EMITTER CASE (COMMON)

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CER

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 20 mA

I_E= 10 mA

R_BE= 75 Ω

BV_CBO

BV_EBO

I_CER

4.0

V_CE= 28 V

_CE= 10 V

R_BE= 75 Ω

---

h_FE

I_C= 2.0 A

120

G_p

_CE= 28 V

I_cq= 2X50 mA

f = 860 MHz

8.5

V_CE= 28 V

1.0 dB COMPRESSION (ref = 25 W)

P_out

100

FUNCTIONAL TESTS IN VIDEO (STANDARD BLACK LEVEL)

P_out

_CE= 28 V

_CE= 32 V

I_cq= 2X50 mA

I_cq= 2X25 mA

f = 860 MHz

125

150

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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TPV8100B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SD1492	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
SD4100	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

与TPV8100B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPV8100B_D	ETC	获取价格	TPV8100B 470-860 MHz. 150 W. 28 V RF Power Transistor - Archived
TPV8200B	MOTOROLA	获取价格	RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
TPV821	3PEAK	获取价格	Low Voltage Supervisory Circuit with Manual Reset
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TPVI10	TOTAL-POWER	获取价格	UNIVERSAL INPUT AC-DC PCB OPEN FRAME SINGLE AND DUAL OUTPUT 10 WATTS INTERNAL SWITCHING PO
TPVI10-10	TOTAL-POWER	获取价格	UNIVERSAL INPUT AC-DC PCB OPEN FRAME SINGLE AND DUAL OUTPUT 10 WATTS INTERNAL SWITCHING PO
TPVI10-11	TOTAL-POWER	获取价格	UNIVERSAL INPUT AC-DC PCB OPEN FRAME SINGLE AND DUAL OUTPUT 10 WATTS INTERNAL SWITCHING PO

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