TPV596

更新时间： 2024-01-21 00:44:09

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描述
SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET

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TPV596 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	8.8 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

TPV596 数据手册

TPV596

SILICON N-CHANNEL RF POWER MOSFET

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 280 4L STUD

The TPV596 is Designed for Common

Source Push Pull RF Power

Applications up to 400 MHz.

FEATURES:

• P_G= 12 dB min. at 0.5 W/ 860 MHz

• Common Emitter

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

0.7 A

I_C

24 V

V_CE

T_J

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

8.75 W @ T_C= 25 ^OC

1 = COLLECTOR 2 = BASE 3 & 4 = EMITTER

T_STG

P_DISS

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_C= 20 mA

I_C= 1.0 mA

I_C= 20 mA

BV_CBO

BV_CER

BV_EBO

I_CBO

R_BE= 10 Ω

I_E= 0.25 mA

V_CB= 28 V

I_C= 100 mA

3.5

0.45

120

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_E= 0.22 A

C_OB

P_G

V_CB= 28 V

V_CE= 20 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

5.0

11.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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