TPV595

更新时间： 2024-02-22 07:52:27

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV595 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

TPV595 数据手册

TPV595

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .250 BAL FLG

The TPV595 is Designed for Class AB

Push Pull, Common Emitter from 470

to 860 MHz Applications.

Collector - 2 places

.020 x 45°

Ø.130 NOM.

.050 x 45°

Emitter connected to flange

Base - 2 places

FEATURES:

• Gold Metalization

• Emitter Ballast Resistors

• Internal Input Matching

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

.060 / 1.52

.125 / 3.18

MAXIMUM RATINGS

.055 / 1.40

.065 / 1.65

2 x 2.6 A

.243 / 6.17

.255 / 6.48

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

.630 / 16.00

.670 / 17.01

.092 / 2.34

45 V

.555 / 14.10

.739 / 18.77

.315 / 8.00

.002 / 0.05

.055 / 1.40

.075 1.91

.565 / 14.35

.750 / 19.05

.327 / 8.31

.006 / 0.15

.065 / 1.65

.095 / 2.41

.190 / 4.83

.257 / 6.53

65 W @ T_C= 25 ^OC

-50 ^OC to +200 ^OC

2.5 ^OC/W

.245 / 6.22

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CER

BV_CBO

I_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_C= 20 mA

V_CB= 20 V

I_E= 5 mA

R_BE= 51 Ω

5.0

BV_EBO

h_FE

3.0

V_CE= 20 V

I_C= 500 mA

C_OB

V_CB= 25 V

V_CE= 25 V

F = 860 MHz

Vision = -8 dB

I_C= 2 x 900 mA

Sound = -7 dB

P_REF= 14 W

SB = -16 dB

8.5

9.5

P_G

-47

IMD₃

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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