TPV591

更新时间： 2024-09-29 22:19:15

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV591 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	22 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3000 MHz	Base Number Matches：	1

TPV591 数据手册

TPV591

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI TPV591 is a Common

Emitter Device Designed for High

Linearity Class A Television Band IV

and V Transmitters.

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

FEATURES INCLUDE:

· Gold Metalization

· Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

I_C

300 mA

V_CB

P_DISS

T_J

45 V

5.3 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

33.0 ^OC/W

T_STG

q_JC

1 = COLLECTOR

2 = BASE

3 & 4 = EMITTER

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

NONE

SYMBOL

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 5.0 V

3.5

I_C= 100 mA

200

3.0

---

C_ob

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

Pref = 0.5 W

SOUND CARRIER = -7.0 dB

VISION CARRIER = -8.0 dB

P_g

CHROMA = -16 dB

f = 860 MHz

Pref = 0.5 W

V_CE= 20 V

IMD

-58

I_C= 150 mA SOUND CARRIER =-7.0dB

CHROMA = -16 dB

VISION CARRIER = -8.0 dB

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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