TPV5051A

更新时间： 2024-11-02 13:00:43

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TPV5051A 数据手册

TPV5051

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The TPV5051 is Designed for AB

Push Pull, Common Emitter from

470 to 860 MHz Applications.

PACKAGE STYLE BMA-2

FEATURES:

MILLIMETER

INCHES

MIN MAX

• Gold Metalization

• Diffused Ballast Resistor

DIM

MIN

MAX

20.07 20.57 0.790 0.810

6.35

4.20

1.40

1.27

1.34

0.08

4.83

6.56

3.18

6.85

5.02

1.65

1.77

2.43

0.12

5.33

6.80

3.42

0.250 0.270

0.165 0.198

0.055 0.065

0.060 0.070

0.076 0.096

0.003 0.005

0.190 0.210

0.258 0.268

0.125 0.135

MAXIMUM RATINGS

9.0 A

30 V

I_C

V_CEO

V_CBO

P_DISS

T_J

14.03 14.52 0.552 0.572

45 V

1 = BASE

2 = BASE

3 = COLLECTOR

4 = COLLECTOR 5 = EMITTER

97 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.8 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

4.0

I_C= 60 mA

I_C= 20 mA

I_E= 6.0 mA

I_C= 10 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 20 V

V_CB= 28 V

BV_CBO

BV_EBO

BV_CER

I_CEO

R_BE= 50 Ω

---

h_FE

I_C= 800 mA

P_out= 50 W

C_ob

f = 1.0 MHz (EACH SIDE)

6.5

P_G

V_CE= 28 V

Iq = 2X50 mA

f = 860 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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