TPV5051

更新时间： 2024-09-29 21:55:15

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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV5051 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	9 A	基于收集器的最大容量：	40 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TPV5051 数据手册

TPV5051

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The TPV5051 is Designed for AB

Push Pull, Common Emitter from

470 to 860 MHz Applications.

PACKAGE STYLE BMA-2

FEATURES:

MILLIMETER

INCHES

MIN MAX

• Gold Metalization

• Diffused Ballast Resistor

DIM

MIN

MAX

20.07 20.57 0.790 0.810

6.35

4.20

1.40

1.27

1.34

0.08

4.83

6.56

3.18

6.85

5.02

1.65

1.77

2.43

0.12

5.33

6.80

3.42

0.250 0.270

0.165 0.198

0.055 0.065

0.060 0.070

0.076 0.096

0.003 0.005

0.190 0.210

0.258 0.268

0.125 0.135

MAXIMUM RATINGS

9.0 A

30 V

I_C

V_CEO

V_CBO

P_DISS

T_J

14.03 14.52 0.552 0.572

45 V

1 = BASE

2 = BASE

3 = COLLECTOR

4 = COLLECTOR 5 = EMITTER

97 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.8 °C/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

4.0

I_C= 60 mA

I_C= 20 mA

I_E= 6.0 mA

I_C= 10 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 20 V

V_CB= 28 V

BV_CBO

BV_EBO

BV_CER

I_CEO

R_BE= 50 Ω

---

h_FE

I_C= 800 mA

P_out= 50 W

C_ob

f = 1.0 MHz (EACH SIDE)

6.5

P_G

V_CE= 28 V

Iq = 2X50 mA

f = 860 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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