TPV5051-1

更新时间： 2024-11-02 03:58:35

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TPV5051-1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	2.6 A	基于收集器的最大容量：	40 pF
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	65 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPV5051-1 数据手册

TPV5051-1

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE BMA 2A

DESCRIPTION:

The TPV5051-1 is Designed for AB

Push Pull, Common Emitter from

470 to 860 MHz Applications.

MIN:

(In/mm)

MAX:

(In/mm)

.060/1.52

.055/1.40

.124/3.15

.234/6.17

.635/16.13

.092/.234

.555/14.10

.739/18.77

.315/8.00

.002/0.05

.055/1.40

.075/1.91

.060/1.52

.065/1.65

.124/3.15

.253/6.34

.665/16.89

.092/.234

.565/14.35

.749/19.02

.327/8.31

.006/0.15

.065/1.65

.095/2.41

.190/4.83

.257/6.53

MAXIMUM RATINGS

I_C

2.6 A (EACH SIDE)

V_CE

25 V

P_DISS65 W @ T_C= 25 ^OC (TOTAL)

T_J

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

2.5 ^OC/W

T_STG

q_JC

1 = EMITTER/FLANGE

3 = BASE 2 = CHAMFERED 45°

LEADS = COLLECTOR

.245/6.22

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_C= 20 mA

I_E= 6.0 mA

V_CE= 20 V

4.0

I_C= 800 mA

P_out= 50 W

---

C_ob

V_CB= 28 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz (EACH SIDE)

P_G

Iq = 2X100 mA

f = 860 MHz

6.5

h _C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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