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TPU70R1K5C

更新时间: 2024-09-18 15:18:11
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP /
页数 文件大小 规格书
13页 787K
描述
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infi

TPU70R1K5C 数据手册

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TPP70R1K5C, TPA70R1K5C, TPU70R1K5C, TPD70R1K5C,  
TPC70R1K5C,TPB70R1K5C, TPY70R1K5C  
Wuxi Unigroup Microelectronics Company  
700V Super-Junction Power MOSFET  
FEATURES  
Very low FOM RDS(on)×Qg  
100% avalanche tested  
RoHS compliant  
APPLICATIONS  
Switch Mode Power Supply (SMPS)  
Uninterruptible Power Supply (UPS)  
Power Factor Correction (PFC)  
G
D
S
Device Marking and Package Information  
Device  
Package TO-220  
Marking 70R1K5C  
TPP70R1K5C TPA70R1K5C TPU70R1K5C TPD70R1K5C TPC70R1K5C TPB70R1K5C TPY70R1K5C  
TO-220F  
70R1K5C  
TO-251  
TO-252  
TO-262  
TO-263  
SOT-223  
70R1K5C  
70R1K5C  
70R1K5C  
70R1K5C  
70R1K5C  
Absolute Maximum Ratings TC = 25ºC, unless otherwise noted  
Value  
Parameter  
Symbol  
Unit  
TO-220, TO-251, TO-252  
TO-262, TO-263,SOT-223  
TO-220F  
Drain-Source Voltage (VGS = 0V)  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
VDSS  
ID  
700  
4
V
A
IDM  
12  
A
(note1)  
Gate-Source Voltage  
VGSS  
EAS  
IAR  
±30  
V
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(note2)  
(note1)  
(note1)  
52.8  
0.8  
mJ  
A
Repetitive Avalanche Energy  
Power Dissipation (TC = 25ºC )  
EAR  
PD  
0.09  
28  
mJ  
W
ºC  
23  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
-55~+150  
Thermal Resistance  
Value  
Parameter  
Symbol  
Unit  
TO-220, TO-251, TO-252  
TO-262, TO-263, SOT-223  
TO-220F  
5.5  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
RthJC  
RthJA  
4.4  
62  
ºC/W  
80  
V3.0  
www.tsinghuaicwx.com  
1

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