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TPU60R350C

更新时间: 2024-11-08 17:00:59
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP /
页数 文件大小 规格书
15页 1055K
描述
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infi

TPU60R350C 数据手册

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TPA60R350C,TPB60R350C,TPC60R350C,TPD60R350C,  
TPP60R350C,TPR60R350C,TPU60R350C,TPV60R350C  
Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd  
600V Super-junction Power MOSFET  
Description  
600V Super-junction Power MOSFET  
Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ  
principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with  
highest robustness make especially resonant switching applications more reliable, more efficient, lighter and cooler, designed by  
Wuxi Unigroup Microelectronics Company.  
Features  
Applications  
l Very low FOM RDS(on)×Qg  
l 100% avalanche tested  
l Easy to use/drive  
l RoHS compliant  
l Switch Mode Power Supply (SMPS)  
l Uninterruptible Power Supply (UPS)  
l Power Factor Correction (PFC)  
l Charger  
TO-251  
TO-3PN  
TO-262  
TO-220  
TO-220FP-NL  
TO-220F  
TO-252  
TO-263  
Device Marking and Package Information  
Device  
Package  
TO-220F  
TO-263  
Marking  
TPA60R350C  
TPB60R350C  
TPC60R350C  
TPD60R350C  
TPP60R350C  
TPR60R350C  
TPU60R350C  
TPV60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
60R350C  
TO-262  
TO-252  
TO-220  
TO-220FP-NL  
TO-251  
TO-3PN  
Key Performance Parameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg,typ  
Value  
650  
0.35  
21  
Unit  
V
Ω
nC  
A
ID  
11  
ID,pulse  
33  
A
V1.0  
1
www.tsinghuaicwx.com  

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