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TPS650944A0RSKT

更新时间： 2024-10-31 11:11:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		集成电源管理电路
页数	文件大小	规格书
96页	1631K
描述
适用于 Apollo Lake 处理器的可编程中等输入电压范围电源管理 IC (PMIC) \| RSK \| 64 \| -40 to 85

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TPS650944A0RSKT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	HVQCCN,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	可调阈值：	YES
模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY SUPPORT CIRCUIT	JESD-30 代码：	S-PQCC-N64
JESD-609代码：	e4	长度：	8 mm
湿度敏感等级：	3	信道数量：	12
功能数量：	1	端子数量：	64
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电压：	3.575 V	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HVQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	21 V	最小供电电压 (Vsup)：	5.6 V
标称供电电压 (Vsup)：	13 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

TPS650944A0RSKT 数据手册

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TPS65094

ZHCSFJ2C –SEPTEMBER 2015–REVISED FEBRUARY 2019

适用于 Intel™ Apollo Lake 平台的 TPS65094 PMIC

1 器件概述

1.1 特性

(V1P24A)，输出电流为 2A

• 5.6V 至 21V 的宽输入电压范围

• 三个具有可调输出电压的 LDO 稳压器

• 三个可变输出电压同步

降压控制器 D-CAP2™拓扑

– LDOA1：I²C 可选输出电压为 1.35V 至 3.3V，输

出电流高达 200mA

– 对于 BUCK1 (VNN)，电流为 5A；对于 BUCK6

(VDDQ)，电流为 7A，对于典型应用中使用外部

FET 的 BUCK2 (VCCGI)，电流为 21A

– LDOA2 和 LDOA3：I²C 可选输出电压为 0.7V 至

1.5V，输出电流高达 600mA

– 针对 BUCK1 和 BUCK2

– 对于 BUCK6 (VDDQ)，提供 OTP 可编程默认输

出电压

• 适用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO

• 三个具有压摆率控制功能的负载开关

– 输出电流高达 400mA，压降小于标称输入电压的

• 三个可变输出电压同步

1.5%

降压转换器，采用 DCS-Control 拓扑技术并支持

– 输入电压为 1.8V 时，R_DSON< 96mΩ

• I²C 接口（器件地址 0x5E）支持：

– 标准模式 (100kHz)

I²C DVS 功能

– 输入电压范围为 4.5V 至 5.5V

– 对于 BUCK3 (VCCRAM)，输出电流为 3A

– 对于典型应用中的 BUCK4 (V1P8A) 和 BUCK5

– 快速模式 (400kHz)

– 快速模式+ (1MHz)

1.2 应用

•

2 节、3 节或 4 节锂离子电池供电产品（NVDC 或

非 NVDC）

•

平板电脑、超极本™和笔记本电脑

移动 PC 和移动互联网设备

•

壁式供电设计，特别是 12V 电源

1.3 说明

TPS65094 器件是一款单芯片解决方案电源管理集成芯片 (PMIC)，专为最新的 Intel™处理器进行设计，这

些处理器以通过 2 节、3 节或 4 节锂离子电池组（NVDC 或非 NVDC 电源架构）供电的平板电脑、超极

本、笔记本、工业计算机和物联网 (IOT) 应用以及壁式供电的应用为目标。

TPS65094 器件用于合并低电压轨的必需系统，以获得最小的尺寸和成本最低的系统电源解决方案。

TPS65094 器件可提供基于 Intel 参考设计的完整电源解决方案。由上电序列逻辑控制六个高效降压稳压器

(VR)、一个灌/拉 LDO (VTT)、以及一个负载开关，以提供正确的电源轨、定序和保护 — 包括 DDR3 和

DDR4 存储器电源。两个稳压器（BUCK1 和 BUCK2）支持动态电压调节 (DVS)，可最大限度地提高效率

（包括支持联网待机功能）。高频 VR 采用小型电感和电容来减小解决方案体积。凭借 I²C 接口，可通过嵌

入式控制器 (EC) 或片上系统 (SoC) 轻松实现控制功能。

PMIC 采用带散热焊盘的 8mm × 8mm 单行 VQFN 封装，因此散热性能良好，电路板布线简单。

器件信息⁽¹⁾

封装

器件型号

封装尺寸（标称值）

TPS65094

VQFN (64)

8.00mm x 8.00mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SWCS133

12 3 4 5 6 7...96

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