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TPS603A

更新时间: 2024-09-14 22:52:55
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东芝 - TOSHIBA 晶体光电晶体管光电晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 187K
描述
PHOTO TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR

TPS603A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
Is Samacsys:NColl-Emtr Bkdn Voltage-Min:20 V
配置:SINGLE最大暗电源:100 nA
红外线范围:NO标称光电流:0.02 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最大通态电流:0.02 A最高工作温度:75 °C
最低工作温度:-20 °C光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR
峰值波长:720 nm最大功率耗散:0.075 W
形状:ROUND尺寸:3 mm
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

TPS603A 数据手册

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