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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TSON-8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 35 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 37 A | 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 81 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPN11006NL(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,37A I(D),LLCC |
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| TPN11006NL(TE12L1) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,37A I(D),LLCC |
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| TPN11006PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0114 Ω@10V, TSON Advance |
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| TPN1110ENH | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 200 V, 0.114 Ω@10V, TSON Advance |
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| TPN12008QM | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| TPN1200APL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0115 Ω@10V, TSON Advanc |
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| TPN-125 | COOPER |
获取价格 |
Electric Fuse, 125A, 170VDC, 100000A (IR), Inline/holder |
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| TPN13008NH | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 80 V, 0.0133 Ω@10V, TSON Advance |
|
| TPN14006NH | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.014 Ω@10V, TSON Advance, |
|
| TPN-15 | ETC |
获取价格 |
Fuse |
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