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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 31 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 50 pF | JESD-30 代码： | S-PDSO-F5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPN11003NL(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),LLCC |
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| TPN11003NL(TE12L1) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),LLCC |
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| TPN11006NL | TOSHIBA |
获取价格 |
Power MOSFET - Nch 30V<VDSS≤60V |
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| TPN11006NL(TE12L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,37A I(D),LLCC |
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| TPN11006NL(TE12L1) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,37A I(D),LLCC |
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| TPN11006PL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 60 V, 0.0114 Ω@10V, TSON Advance |
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| TPN1110ENH | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 200 V, 0.114 Ω@10V, TSON Advance |
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| TPN12008QM | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| TPN1200APL | TOSHIBA |
获取价格 |
N-ch MOSFET, 100 V, 0.0115 Ω@10V, TSON Advanc |
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| TPN-125 | COOPER |
获取价格 |
Electric Fuse, 125A, 170VDC, 100000A (IR), Inline/holder |
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