5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPIC3302DR
TPIC3302DR PDF预览

TPIC3302DR

更新时间： 2024-09-15 13:02:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
11页 172K
描述
1000mA, 60V, 3 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, MS-012, 8 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

TPIC3302DR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON DRAIN, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.475 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：40 pF
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：3端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.95 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPIC3302DR 数据手册

 浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPIC3302DR的Datasheet PDF文件第7页 
TPIC3302  
3-CHANNEL COMMON-DRAIN POWER DMOS ARRAY  
SLIS021B – APRIL 1994 – REVISED JULY 1995  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
•
•
•
•
Low r  
. . . 0.4 Ω Typ  
DS(on)  
High-Voltage Outputs . . . 60 V  
Pulsed Current . . . 5 A Per Channel  
Fast Commutation Speed  
SOURCE1  
GATE2  
GATE1  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
SOURCE2  
SOURCE3  
DRAIN  
GATE3  
description  
The TPIC3302 is a monolithic power DMOS array that consists of three electrically isolated N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors configured with a common drain and open sources. The TPIC3302 is  
offered in a standard eight-pin small-outline surface-mount (D) package.  
The TPIC3302 is characterized for operation over the case temperature range of –40°C to 125°C.  
schematic  
DRAIN  
6
D1  
Q1  
Q2  
Q3  
8
2
5
Z1  
Z2  
Z3  
GATE1  
GATE2  
GATE3  
7
GND  
1
3
4
SOURCE1  
SOURCE2  
SOURCE3  
†
absolute maximum ratings over operating case temperature range (unless otherwise noted)  
Drain-to-source voltage, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V  
DS  
Source-to-GND voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V  
Drain-to-GND voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V  
Gate-to-source voltage, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20 V  
GS  
Continuous drain current, each output, all outputs on, T = 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A  
Continuous source-to-drain diode current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A  
C
Pulsed drain current, each output, T = 25°C (see Note 1 and Figure 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 A  
C
Single-pulse avalanche energy, T = 25°C, E (see Figure 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 mJ  
C
AS  
Continuous total power dissipation at (or below) T = 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.95 W  
C
Operating virtual junction temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to 150°C  
J
Operating case temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to 125°C  
C
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to 150°C  
Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C  
stg  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTE 1: Pulse duration = 10 ms, duty cycle = 2%  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
2–1  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与TPIC3302DR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPIC3322L TI

获取价格

 		3-CHANNEL COMMON-DRAIN LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY
TPIC3322LD TI

获取价格

 		暂无描述
TPIC3322LDR TI

获取价格

 		暂无描述
TPIC4209KV ETC

获取价格

 		Dual Peripheral Driver
TPIC43T01 TI

获取价格

 		THREE-PHASE BRUSHLESS MOTOR RPM CONTROLLERS
TPIC43T01_14 TI

获取价格

 		THREE-PHASE BRUSHLESS MOTOR RPM CONTROLLERS
TPIC43T01DA TI

获取价格

 		THREE-PHASE BRUSHLESS MOTOR RPM CONTROLLERS
TPIC43T01DAR TI

获取价格

 		IC BRUSHLESS DC MOTOR CONTROLLER, PDSO38, PLASTIC, TSSOP-38, Motion Control Electronics
TPIC43T02 TI

获取价格

 		THREE-PHASE BRUSHLESS MOTOR RPM CONTROLLERS
TPIC43T02DA TI

获取价格

 		THREE-PHASE BRUSHLESS MOTOR RPM CONTROLLERS

与TPIC3302DR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证