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TPIC3302D PDF预览

TPIC3302D

更新时间： 2024-09-15 21:17:15
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德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 213K
描述
3-Channel Common Drain Driver 8-SOIC

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TPIC3302D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：MS-012, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON DRAIN, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.475 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：40 pFJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：3
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.95 W最大功率耗散 (Abs)：0.95 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPIC3302D 数据手册

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SLIS021B − APRIL 1994 − REVISED JULY 1995  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
• Low r  
. . . 0.4 Ω Typ  
DS(on)  
• High-Voltage Outputs . . . 60 V  
• Pulsed Current . . . 5 A Per Channel  
• Fast Commutation Speed  
SOURCE1  
GATE2  
GATE1  
GND  
1
2
3
4
8
7
6
5
SOURCE2  
SOURCE3  
DRAIN  
GATE3  
description  
The TPIC3302 is a monolithic power DMOS array that consists of three electrically isolated N-channel  
enhancement-mode DMOS transistors configured with a common drain and open sources. The TPIC3302 is  
offered in a standard eight-pin small-outline surface-mount (D) package.  
The TPIC3302 is characterized for operation over the case temperature range of −40°C to 125°C.  
schematic  
DRAIN  
6
D1  
Q1  
Q2  
Q3  
8
2
5
Z1  
Z2  
Z3  
GATE1  
GATE2  
GATE3  
7
GND  
1
3
4
SOURCE1  
SOURCE2  
SOURCE3  
†
absolute maximum ratings over operating case temperature range (unless otherwise noted)  
Drain-to-source voltage, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V  
DS  
Source-to-GND voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V  
Drain-to-GND voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 V  
Gate-to-source voltage, V  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
20 V  
GS  
Continuous drain current, each output, all outputs on, T = 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A  
C
Continuous source-to-drain diode current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A  
Pulsed drain current, each output, T = 25°C (see Note 1 and Figure 6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 A  
C
Single-pulse avalanche energy, T = 25°C, E (see Figure 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 mJ  
C
AS  
Continuous total power dissipation at (or below) T = 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.95 W  
C
Operating virtual junction temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40°C to 150°C  
J
Operating case temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40°C to 125°C  
C
Storage temperature range, T  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65°C to 150°C  
stg  
Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C  
†
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
NOTE 1: Pulse duration = 10 ms, duty cycle = 2%  
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Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
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2−1  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS  
77251−1443  
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