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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.9 | 其他特性： | ESD PROTECTED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 96 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMPLEX | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 75 pF | JEDEC-95代码： | MS-013AD |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 24 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1.39 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 180 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 125 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPIC1321LDWR | TI |
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暂无描述 |
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| TPIC1501 | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1501A | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1501ADW | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1502 | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1502DW | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1502DWR | TI |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | SO |
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| TPIC1504 | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1504DW | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1504DWR | TI |
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5mA, 11 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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