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TPIC1301DW PDF预览

TPIC1301DW

更新时间： 2024-11-07 02:58:35
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 269K
描述
3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED POWER DMOS ARRAY

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TPIC1301DW 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24针数：24
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.86
其他特性：ESD PROTECTED雪崩能效等级（Eas）：17.2 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：COMPLEX
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.25 A最大漏源导通电阻：0.275 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：75 pF
JEDEC-95代码：MS-013ADJESD-30 代码：R-PDSO-G24
元件数量：6端子数量：24
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1.39 W
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：11.25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：65 ns最大开启时间（吨）：80 ns

TPIC1301DW 数据手册

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SLIS037 − NOVEMBER 1994  
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
• Low r  
. . . 0.23 Ω Typ  
• High Voltage Output . . . 60 V  
DS(on)  
OUTPUT1  
GATE4  
OUTPUT1  
GATE1  
• Extended ESD Capability . . . 4000 V  
• Pulsed Current . . . 11.25 A Per Channel  
• Fast Commutation Speed  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
2
SOURCE4  
SOURCE4  
GND  
DRAIN1  
DRAIN1  
DRAIN2  
DRAIN2  
OUTPUT2  
OUTPUT2  
GATE2  
3
4
5
description  
GND  
6
GATE5  
The TPIC1301 is a monolithic gate-protected  
power DMOS array that consists of six electrically  
isolated N-channel enhancement-mode DMOS  
transistors configured as three half H-bridges.  
Each transistor features integrated high-current  
7
SOURCE6  
SOURCE6  
GATE6  
8
9
DRAIN3  
DRAIN3  
10  
11  
OUTPUT3  
zener diodes (Z  
damage in the event that an overstress condition  
Z
) to prevent gate  
OUTPUT3 12  
13 GATE3  
CXa and CXb  
occurs. These zener diodes also provide up to 4000 V of ESD protection when tested using the human-body  
model of a 100-pF capacitor in series with a 1.5-kΩ resistor.  
The TPIC1301 is offered in a 24-pin wide-body surface-mount (DW) package and is characterized for operation  
over the case temperature range of −40°C to 125°C.  
schematic  
OUTPUT2  
17, 18  
GATE5  
GATE2 DRAIN2  
21, 22  
23  
7
16  
19, 20  
14, 15  
13  
DRAIN1  
GATE1  
DRAIN3  
GATE3  
Q1  
Q2  
Q3  
Z1  
Z2  
Z3  
Z
C1b  
Z
C2b  
Z
C3b  
D1  
D2  
D3  
Z
C1a  
Z
C2a  
Z
C3a  
1, 24  
11, 12  
OUTPUT3  
OUTPUT1  
D4  
D5  
Q4  
Q5  
Q6  
10  
2
Z4  
Z5  
Z6  
GATE6  
GATE4  
Z
C4b  
Z
C6b  
Z
C5b  
Z
C4a  
3, 4  
Z
C5a  
Z
C6a  
8, 9  
SOURCE6  
SOURCE4  
5, 6  
GND  
NOTE: For correct operation, no terminal pin may be taken below GND.  
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Copyright 1994, Texas Instruments Incorporated  
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2−1  
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251−1443  
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与TPIC1301DW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPIC1301DWR TI

获取价格

 		2.25A, 60V, 0.275ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD, PLASTIC, SOIC-24
TPIC1310 TI

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 		3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY
TPIC1310KTR TI

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 		3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY
TPIC1310KTS TI

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 		3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY
TPIC1321L TI

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 		3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY
TPIC1321LDW TI

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 		3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY
TPIC1321LDWR TI

获取价格

 		暂无描述
TPIC1501 TI

获取价格

 		QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY
TPIC1501A TI

获取价格

 		QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY
TPIC1501ADW TI

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 		QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY

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