是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.86 |
其他特性: | ESD PROTECTED | 雪崩能效等级(Eas): | 17.2 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMPLEX |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.3 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.25 A | 最大漏源导通电阻: | 0.275 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 75 pF |
JEDEC-95代码: | MS-013AD | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 24 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 1.39 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 11.25 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 65 ns | 最大开启时间(吨): | 80 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPIC1301DWR | TI |
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2.25A, 60V, 0.275ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD, PLASTIC, SOIC-24 | |
TPIC1310 | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1310KTR | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1310KTS | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1321L | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1321LDW | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1321LDWR | TI |
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暂无描述 | |
TPIC1501 | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1501A | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY | |
TPIC1501ADW | TI |
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QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |