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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.86 |
| 其他特性： | ESD PROTECTED | 雪崩能效等级（Eas）： | 17.2 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMPLEX |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.275 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 75 pF |
| JEDEC-95代码： | MS-013AD | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 24 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.39 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11.25 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 65 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TPIC1301DWR | TI |
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2.25A, 60V, 0.275ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AD, PLASTIC, SOIC-24 |
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| TPIC1310 | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1310KTR | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1310KTS | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE PROTECTED POWER DMOS ARRAY |
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| TPIC1321L | TI |
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3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC1321LDW | TI |
获取价格 |
3-HALF H-BRIDGE GATE-PROTECTED LOGIC-LEVEL POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC1321LDWR | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| TPIC1501 | TI |
获取价格 |
QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC1501A | TI |
获取价格 |
QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
|
| TPIC1501ADW | TI |
获取价格 |
QUAD AND HEX POWER DMOS ARRAY |
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