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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> TPI12011NRL
TPI12011NRL PDF预览

TPI12011NRL

更新时间： 2024-11-04 22:19:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 触发装置硅浪涌保护器光电二极管综合业务数字网
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES

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TPI12011NRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：8.31最大转折电压：160 V
配置：DELTA CONNECTED, 3 ELEMENTSJESD-30 代码：R-PDSO-G8
通态非重复峰值电流：8 A元件数量：3
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TPI12011NRL 数据手册

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TPI8011N  
TPI12011N  
Application Specific Discretes  
A.S.D.  
TRIPOLAR PROTECTION  
FOR ISDN INTERFACES  
FEATURES  
BIDIRECTIONAL TRIPLE CROWBAR  
PROTECTION.  
PEAK PULSE CURRENT :  
IPP = 30 A , 10/1000 µs.  
BREAKDOWN VOLTAGE:  
TPI80xxN: 80V  
TPI120xxN: 120V.  
AVAILABLEIN SO8 PACKAGES.  
LOW DYNAMIC BREAKOVER VOLTAGE :  
TPI80N : 150V  
TPI120 : 200V  
SO 8  
DESCRIPTION  
Dedicated devices for ISDN interface and high  
speed data telecom line protection. Equivalent to  
a triple TRISIL withlow capacitance.  
SCHEMATIC DIAGRAM  
Thesedevices provide :  
low capacitance from lines to ground, allowing  
high speed transmission without signal  
attenuation.  
-
1
2
3
4
8
7
6
5
Tip  
GND  
GND  
Ring  
Tip  
- good capacitance balance between lines in  
order to ensure longitudinalbalance.  
GND  
GND  
Ring  
- fixed breakdown voltage in both common and  
differentialmodes.  
- the same surge current capability in both  
common and differentialmodes.  
A particular attention has been given to the  
internalwire bonding.The”4-point”configuration  
-
ensures  
a
reliable protection, eliminating  
overvoltages introduced by the parasitic  
inductances of the wiring (Ldi/dt), especially for  
very fast transientovervoltages.  
COMPLIESWITHTHEFOLLOWINGSTANDARDS:  
CCITT K17 - K20  
VDE 0433  
VDE 0878  
CNET  
10/700 µs  
1.5 kV  
µ
5/310  
s
38  
A
10/700 µs  
2
50  
kV  
A
µ
µ
µs  
5/310  
s
1.2/50  
1/20  
s
1.5 kV  
40  
A
µ
0.5/700 s  
1.5 kV  
38  
0.2/310 µs  
A
TM: ASD is a trademark of SGS-THOMSON Microelectronics.  
November 1999 Ed : 3A  
1/7  
1234567

中文翻译

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TPI12011NRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPI12011N STMICROELECTRONICS

完全替代

 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES
TISP7180F3DR BOURNS

类似代替

 MEDIUM & HIGH-VOLTAGE TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

与TPI12011NRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPI12011P STMICROELECTRONICS

获取价格

 		180V, 5A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, SO-8
TPI120-12 ETC

获取价格

 		SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|800MA I(S)|DIP
TPI12012N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,BIDIRECTIONAL,105V V(RWM),DIP
TPI1205S TOPPOWER

获取价格

 		Typical performance：TPI series products are s
TPI1205S-2W TOPPOWER

获取价格

 		2W 3KVDC Isolated & Regulated Single and Dual Output DC/DC Converters
TPI1205SA-2W TOPPOWER

获取价格

 		2W 3KVDC Isolated & Regulated Single and Dual Output DC/DC Converters
TPI1209S TOPPOWER

获取价格

 		Typical performance：TPI series products are s
TPI1209S-2W TOPPOWER

获取价格

 		2W 3KVDC Isolated & Regulated Single and Dual Output DC/DC Converters
TPI1209SA-2W TOPPOWER

获取价格

 		2W 3KVDC Isolated & Regulated Single and Dual Output DC/DC Converters
TPI1212S TOPPOWER

获取价格

 		Typical performance：TPI series products are s

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