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TPH2900ENH

更新时间： 2024-11-12 14:57:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 262K
描述
N-ch MOSFET, 200 V, 0.029 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H

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TPH2900ENH  
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)  
TPH2900ENH  
1. Applications  
•
High-Efficiency DC-DC Converters  
•
Switching Voltage Regulators  
2. Features  
(1) High-speed switching  
(2) Small gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)  
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 24 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)  
(4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 200 V)  
(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)  
3. Packaging and Internal Circuit  
1, 2, 3: Source  
4: Gate  
5, 6, 7, 8: Drain  
SOP Advance  
Start of commercial production  
2013-10  
©2019  
2019-10-18  
Rev.4.0  
1
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  
1234567...9

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