TPDV840

更新时间： 2024-01-17 09:41:09

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置三端双向交流开关 LTE 局域网
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ALTERNISTORS

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TPDV840 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.67
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	0.00001 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	0.0002 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	最大漏电流：	5 mA
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	40 A
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

TPDV840 数据手册

TPDV 640 ---> 1240

ALTERNISTORS

FEATURES

HIGH COMMUTATION : > 142 A/ms (400Hz)

INSULATING VOLTAGE = 2500V

(RMS)

(UL RECOGNIZED : EB81734)

HIGH VOLTAGE CAPABILITY : V

= 1200 V

DRM

DESCRIPTION

The TPDV 640 ---> 1240 use a high performance

passivated glass alternistor technology. Featuring

very high commutation levels and high surge cur-

rent capability, this family is well adapted to power

control on inductive load (motor, transformer...)

TOP 3

(Plastic)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(360° conduction angle)

Tc = 75 °C

T(RMS)

Non repetitive surge peak on-state current

( Tj initial = 25°C )

tp = 2.5 ms

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

590

370

350

610

TSM

I t

A s

I t value

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

Repetitive

F = 50 Hz

A/µs

Gate supply : I = 500mA di /dt = 1A/µs

Non

100

Repetitive

Tstg

Storage and operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm

from case

260

°C

Symbol

Parameter

TPDV

Unit

640

840

1040

1000

1240

Repetitive peak off-state voltage

Tj = 125 °C

600

800

1200

DRM

RRM

1/5

March 1995

12 3 4 5

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