TPDV625

更新时间： 2024-09-25 22:19:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置三端双向交流开关 LTE 局域网
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ALTERNISTORS

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TPDV625 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	1.5 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大漏电流：	2 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	25 A
重复峰值关态漏电流最大值：	20 µA	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	ALTERNISTOR TRIAC	Base Number Matches：	1

TPDV625 数据手册

TPDV 625 ---> 1225

ALTERNISTORS

FEATURES

HIGH COMMUTATION : > 88 A/ms (400Hz)

INSULATING VOLTAGE = 2500V

(RMS)

(UL RECOGNIZED : EB81734)

HIGH VOLTAGE CAPABILITY : V

= 1200 V

DRM

DESCRIPTION

The TPDV 625 ---> 1225 use a high performance

passivated glass alternistor technology. Featuring

very high commutation levels and high surge cur-

rent capability, this family is well adapted to power

control on inductive load (motor, transformer...)

TOP 3

(Plastic)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(360° conduction angle)

Tc = 85 °C

T(RMS)

Non repetitive surge peak on-state current

( Tj initial = 25°C )

tp = 2.5 ms

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

390

250

230

265

TSM

I t

A s

I t value

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

Repetitive

F = 50 Hz

A/µs

Gate supply : I = 500mA di /dt = 1A/µs

Non

100

Repetitive

Tstg

Storage and operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm

from case

260

°C

Symbol

Parameter

TPDV

Unit

625

825

1025

1000

1225

Repetitive peak off-state voltage

Tj = 125 °C

600

800

1200

DRM

RRM

1/5

March 1995

12 3 4 5

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