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TPDV1225

更新时间： 2024-09-25 22:19:19
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置三端双向交流开关LTE局域网
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5页 69K
描述
ALTERNISTORS

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TPDV1225 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, TOP3, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
重复峰值关态漏电流最大值：20 µA断态重复峰值电压：1200 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：ALTERNISTOR TRIACBase Number Matches：1

TPDV1225 数据手册

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TPDV 625 ---> 1225  
ALTERNISTORS  
FEATURES  
.
.
HIGH COMMUTATION : > 88 A/ms (400Hz)  
INSULATING VOLTAGE = 2500V  
(RMS)  
(UL RECOGNIZED : EB81734)  
.
HIGH VOLTAGE CAPABILITY : V  
= 1200 V  
DRM  
DESCRIPTION  
A1  
A2  
G
The TPDV 625 ---> 1225 use a high performance  
passivated glass alternistor technology. Featuring  
very high commutation levels and high surge cur-  
rent capability, this family is well adapted to power  
control on inductive load (motor, transformer...)  
TOP 3  
(Plastic)  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current  
(360° conduction angle)  
Tc = 85 °C  
25  
A
T(RMS)  
I
Non repetitive surge peak on-state current  
( Tj initial = 25°C )  
tp = 2.5 ms  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
tp = 10 ms  
390  
250  
230  
265  
20  
A
TSM  
2
I t  
2
2
A s  
I t value  
dI/dt  
Critical rate of rise of on-state current  
Repetitive  
F = 50 Hz  
A/µs  
Gate supply : I = 500mA di /dt = 1A/µs  
G
G
Non  
100  
Repetitive  
Tstg  
Tj  
Storage and operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
°C  
°C  
Tl  
Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm  
from case  
260  
°C  
Symbol  
Parameter  
TPDV  
Unit  
625  
825  
1025  
1000  
1225  
V
V
Repetitive peak off-state voltage  
Tj = 125 °C  
600  
800  
1200  
V
DRM  
RRM  
1/5  
March 1995  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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