TPDV1025

更新时间： 2024-01-29 15:38:34

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发装置三端双向交流开关 LTE 局域网
页数	文件大小	规格书
5页	69K
描述
ALTERNISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPDV1025 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	2 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	25 A
断态重复峰值电压：	1000 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

TPDV1025 数据手册

TPDV 625 ---> 1225

ALTERNISTORS

FEATURES

HIGH COMMUTATION : > 88 A/ms (400Hz)

INSULATING VOLTAGE = 2500V

(RMS)

(UL RECOGNIZED : EB81734)

HIGH VOLTAGE CAPABILITY : V

= 1200 V

DRM

DESCRIPTION

The TPDV 625 ---> 1225 use a high performance

passivated glass alternistor technology. Featuring

very high commutation levels and high surge cur-

rent capability, this family is well adapted to power

control on inductive load (motor, transformer...)

TOP 3

(Plastic)

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

RMS on-state current

(360° conduction angle)

Tc = 85 °C

T(RMS)

Non repetitive surge peak on-state current

( Tj initial = 25°C )

tp = 2.5 ms

tp = 8.3 ms

tp = 10 ms

390

250

230

265

TSM

I t

A s

I t value

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current

Repetitive

F = 50 Hz

A/µs

Gate supply : I = 500mA di /dt = 1A/µs

Non

100

Repetitive

Tstg

Storage and operating junction temperature range

- 40 to + 150

- 40 to + 125

°C

Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm

from case

260

°C

Symbol

Parameter

TPDV

Unit

625

825

1025

1000

1225

Repetitive peak off-state voltage

Tj = 125 °C

600

800

1200

DRM

RRM

1/5

March 1995

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与TPDV1025相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPDV1025RG	STMICROELECTRONICS	获取价格	25 A high voltage Triacs
TPDV1040	STMICROELECTRONICS	获取价格	ALTERNISTORS
TPDV1225	STMICROELECTRONICS	获取价格	ALTERNISTORS
TPDV1225	TGS	获取价格	25A TRIACS
TPDV1225RG	STMICROELECTRONICS	获取价格	25 A high voltage Triacs
TPDV1240	TGS	获取价格	40A TRIACS
TPDV1240	STMICROELECTRONICS	获取价格	ALTERNISTORS
TPDV1240RG	STMICROELECTRONICS	获取价格	40 A high voltage Triacs
TPDV125	ETC	获取价格	TRIAC\|100V V(DRM)\|25A I(T)RMS\|TO-218
TPDV140	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRIAC,100V V(DRM),40A I(T)RMS,TO-218